輝達執行長黃仁勳駁斥了市場對記憶體將於2029年過剩的擔憂，他認為記憶體需求永無止境，並表示輝達將持續採用高頻寬記憶體與低功耗記憶體技術，同時也肯定中國在半導體製造上的實力，甚至認為美國的限制加速了中國的發展。
輝達（Nvidia）執行長黃仁勳週四（22日）表示，他認為記憶體市場不太可能在2029年出現供給過剩。他強調，記憶體是一種「永遠不嫌多」的關鍵零組件，市場總會有更多的需求。
近期，一份南韓刊物上發表的評論文章預測，人工智慧（AI）榮景可能減速，記憶體市場到2029年恐面臨「紅色海洋」般的激烈競爭，預期將有「大量新供應湧入」，引發市場對記憶體過剩的擔憂。此消息導致過去一週內，記憶體製造商的股價普遍下跌，包括SK海力士（SK Hynix）、三星（Samsung）和美光（Micron）等大廠都受到衝擊。記憶體對於輝達的晶片至關重要，供給過剩將可能導致價格下降，進而影響製造商的利潤。
然而，黃仁勳對此抱持不同看法。他指出，高頻寬記憶體（HBM）預計將在未來多年持續使用。輝達也正將低功耗雙倍資料速率（LPDDR）記憶體（通常用於手機）導入資料中心，以實現更高的能源效率。他表示，這項技術使得輝達能夠提供比目前全球任何產品節能兩倍的效能，未來仍將大量使用。
談及中國在半導體領域的發展，特斯拉（Tesla）與SpaceX執行長馬斯克（Elon Musk）曾預期中國將在2028年生產大量隨機存取記憶體（RAM）。中國的長鑫儲存（CXMT）也宣布新的設計架構，可能提升效率並引發市場對其競爭對手市佔率受侵蝕的擔憂。黃仁勳對此抱持開放態度，表示輝達願意與長鑫儲存合作，並採用其記憶體產品。他指出，輝達已與中國供應鏈中的企業合作，並認可中國在基礎設施技術和製造能力方面的實力。黃仁勳更認為，美國的監管措施反而加速了中國在半導體技術和製造方面的發展，促使中國加快自研晶片的腳步。儘管美國限制先進半導體對中國的出口，但中國企業據報仍透過東南亞的資料中心獲取運算能力，以開發AI模型。黃仁勳最後強調，美國科技公司實力「強大」，已為市場競爭做好準備。